全球内存价格飞涨，国产芯片能否实现超车？

长期以来，中国在芯片市场上缺乏话语权和价格，这导致了海外国际制造商对该国的垄断。

尽管我国正在努力追赶，但该技术与国际制造商之间仍然存在很大差距。

由于国内制造商仍处于起步阶段，存储器研发的成功将是未来几年的关键时期。

研发成功后，能否将良率提高到更高水平，成本控制是否能够达到预期水平，知识产权能否得到有效保护等，仍然存在一定的不确定性；从成功的研发到批量生产和形成销售，仍需要长达数年的时间。

内存是半导体行业的重要分支。

在经历了2015年和2016年的持续下滑之后，全球存储器市场在2017年迎来了爆炸式增长，增长率为60％，销售额超过1200亿美元，占全球半导体市场总价值的30.1％。

自20年下半年以来，全球汽车行业受到芯片短缺的严重影响。

由于“没有可用的核心”，许多第一和第二线汽车公司已经关闭了工厂。

出乎意料的是，汽车行业缺乏核心已经逐渐蔓延到智能手机行业和游戏机行业。

全球芯片短缺情况可能会在2021年持续。

从去年年底开始，DRAM内存市场价格的下降趋势已经停止，由于断电和火灾等意外因素，价格开始上涨。

2021年全球内存价格上涨已成定局。

截至2月3日，8GB DDR4内存颗粒的价格为3.93美元。

要知道，2020年8月，相关产品的价格仅为2.54美元。

在短短六个月内，价格上涨了54.7％。

ADATA DDR4-3200 16GB单机，去年11月为399元，在截止日期前已涨至569元。

实际上，根据华邦电子的说法，DRAM和闪存价格的上涨将帮助该公司在3月和4月实现收入增长。

存储器接口芯片集成在DRAM存储器模块（存储介质）中，并且是服务器存储器模块的核心逻辑设备。

它的主要功能是提高内存数据访问的速度和稳定性，以匹配不断增加的CPU的运行速度和性能。

内存接口芯片技术门槛高，认证过程严格。

特别是CPU制造商的认证是最关键的。

根据功能，存储器接口芯片主要分为：寄存器缓冲器（RCD），数据缓冲器（DB），存储器缓冲器（MB / AMB）三类。

DDR是21世纪初的主流内存规范。

存储器接口芯片技术已经经历了DDR2，DDR3和DDR4的一代。

目前，DDR4内存技术正处于成熟阶段。

随着内存接口芯片的不断升级，内存技术逐渐从DDR4升级到DDR5。

与上一代存储接口芯片相比，DDR5可以支持更低的电压工作环境和更高的运行速度。

实际上，全球半导体目前正严重短缺。

更糟糕的是，得克萨斯州遭受了重大自然灾害，日本福岛发生7.3级地震，导致一些半导体制造商暂时停产，例如三星的S2晶圆厂。

由于市场供不应求，以及对供需的控制，再加上智能手机和服务器市场的快速增长，存储器行业的寡头垄断（到2020年仍然非常有利可图）正变得越来越明显。

前五名制造商占总数的81％。

利润方面，排名前十的制造商占总收入的92％。

但这对于国产芯片来说是难得的机会。

在全球内存市场中，三星，SK海力士和美光是三大巨头，它们合计占全球产能的95％以上。

其他制造商所占份额很小，随后的竞争对手也面临着巨大的压力。

与三星和其他制造商进入第三代和第四代10nm存储器技术（在1Znm之后）相比，家用存储器的19nm工艺仍然是第一代。

幸运的是，合肥长鑫已经表示将征服17nm工艺并达到第二代。

在10nm技术级别，还将推出新的标准内存，例如DDR5和LPDDR5。

以存储芯片为例。

如今，三星和其他磁头制造商已经在迈入第三代和第四代（10纳米级）存储技术。

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