东芝推出新型碳化硅MOSFET模块,帮助提高工业设备的效率和小型化

中国上海,2021年2月25日,东芝电子元件和存储公司(“东芝”)今天宣布推出一种新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片,用于工业应用(具有3300V和800A功能)模块-“ MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。

为了达到175°C的通道温度,该产品采用iXPLV(智能软包装低电压)包装,并采用了银烧结内部粘合技术,并具有高绝缘性。

安装兼容性。

该模块可以完全满足工业应用中高效,紧凑设备的要求,例如轨道车辆和可再生能源发电系统。

Ø应用·轨道车辆用变频器和变流器·可再生能源发电系统·工业电机控制设备Ø特性·漏极额定电压:VDSS = 3300V·漏极额定电流:ID = 800A双通道·宽通道温度范围:Tch = 175 ℃・低损耗:Eon = 250mJ(典型值)Eoff = 240mJ(典型值)VDS(on)检测= 1.6V(典型值)・低杂散电感:Ls = 12nH(典型值)·小iXPLV封装,高功率密度Ø主要规格