MOS管损坏的奥秘终于解决了！

第一种类型：如果在漏极和源极之间施加超过器件额定VDSS的浪涌电压和击穿电压V（BR）DSS（根据击穿电流而不同），并且经过一定量的击穿电压，则雪崩损坏超出能量发生破坏。

关断介电负载的开关操作时产生的反激电压，或由漏磁电感产生的峰值电压超过功率MOSFET漏极的额定耐受电压，并进入击穿区，从而造成损坏，这将导致雪崩损害。

典型电路：第二种类型：设备加热损坏是由超出安全区域的加热引起的。

发热的原因分为两种：直流电源和瞬态电源。

直流电源的原因：由外部直流电源的损耗（高温下RDS（on）增大，导致在一定电流下的功耗增加）引起的热导通电阻RDS（on）损耗由泄漏电流IDSS（和与其他损耗相比非常小）瞬态功率原因：额外的单脉冲负载短路开关损耗（导通，关断）*（与温度和工作频率有关）trr内置二极管的损耗（上下桥短路） -电路损耗）（与温度和工作频率有关）在设备正常运行期间不会发生由负载短路引起的过电流，从而导致瞬时局部发热并造成损坏。

另外，当热量不匹配或开关频率过高而无法正常散热时，持续的热量将导致温度超过通道温度，并破坏热击穿。

第三类：内置二极管破坏。

当DS端子之间形成的寄生二极管工作时，功率MOSFET的寄生双极晶体管在反激期间工作，这会导致二极管被破坏。

第四类：由寄生振荡引起的损坏。

这种损坏方法特别容易并行发生。

当功率MOS FET并联而不插入栅极电阻时，就会发生寄生栅极振荡。

当漏极-源极电压以高速度反复导通和截止时，这种寄生振荡会在由栅极-漏极电容Cgd（Crss）和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路中发生。

当建立谐振条件（ωL= 1 /ωC）时，在栅极和源极之间施加远远大于驱动电压Vgs（in）的振动电压，并且栅极之间由于超过额定电压而被破坏。

栅极和源极之间的导通或关断时的振动电压会由于栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形的重叠而产生正反馈，这可能会由于故障而导致振荡损坏。

第五类：电网浪涌和静电损坏主要是由电网和电源之间的电压浪涌和静电引起的，即在开机状态下电网过电压损坏和静电。

终端造成的网格破坏（包括安装和测量设备的充电）。

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